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原装德州 CD4585BE
品牌NXP/恩智浦型号CD4585BE
材料HEMT高电子迁移率导电方式增强型
导电沟道N沟道垂直导电结构VVMOSFET
用途S/开关功率小功率
控制方式脉冲频率调制（PFM）封装外形CHIP/小型片状
加工定制否
2018-10-13
SO-8 30V15A M-MOS
品牌其他型号MT6680
材料N-FET硅N沟道导电方式增强型
导电沟道N沟道用途S/开关
功率小功率控制方式脉冲频率调制（PFM）
封装外形其他加工定制是
开启电压30
2018-10-09
TO-252 30V80A-N-MOS
品牌其他型号FKD3006
材料N-FET硅N沟道导电方式增强型
导电沟道N沟道用途S/开关
功率小功率控制方式脉冲频率调制（PFM）
封装外形其他加工定制是
开启电压30最大漏极电流160A
2018-10-09
TO-263 68V80A-N-MOS
品牌其他型号HN68N08
材料N-FET硅N沟道导电方式增强型
导电沟道N沟道用途S/开关
封装外形其他加工定制是
开启电压68最大漏极电流320A
2018-10-09
TO-263 75V-85A-N-MOS
品牌其他型号HN75N85
材料N-FET硅N沟道导电方式增强型
导电沟道N沟道用途S/开关
功率中功率封装外形其他
加工定制是开启电压75
最大漏极电流340A产品认证HN
2018-10-09
RYF10N65F 代替SVF10N65
品牌其他型号RYF10N65F
导电方式增强型导电沟道N沟道
垂直导电结构VVMOSFET用途S/开关
功率中功率控制方式脉冲频率调制（PFM）
封装外形CER-DIP/陶瓷直插加工定制是
2018-09-11
屏幕拼接 多屏幕拼接 拼接屏
品牌国际整流器/IR材料P-FET硅P沟道
导电方式增强型导电沟道P沟道
垂直导电结构VVMOSFET用途MAP/匹配对管
功率小功率控制方式脉冲频率调制（PFM）
封装外形CHIP/小型片状
2018-08-31
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